Opracowanie i prezentacja Intela na temat procesu 32nm obejmuje technologię logiki, która wykorzystuje drugą generację bramek metalowych typu high-k+ (o wysokiej stałej dielektrycznej), 193-nanometrową litografię zanurzeniową oraz ulepszone techniki rozciągania tranzystorów. Rozwiązania te poprawiają wydajność oraz energooszczędność procesorów Intela. Proces produkcyjny Intela cechuje się najwyższą wydajnością i gęstością tranzystorów spośród wszystkich znanych technologii 32nm w branży.
Inne opracowania Intela podczas konferencji IEDM dotyczyć będą niskonapięciowej wersji intelowskiego procesu 45nm do produkcji układów typu SOC (System On Chip), tranzystorów bazujących na złożonych półprzewodnikach, prac technicznych dotyczących podłoża poprawiających wydajność tranzystorów 45nm, integracji chemiczno-mechanicznego wykończenia węzłów 45nm i mniejszych, a także integracji macierzy krzemowych modulatorów fotonicznych. Intel weźmie także udział w krótkiej ścieżce dotyczącej technologii CMOS 22 nm.