Nowe tranzystory 3-D Tri-Gate Intela pozwolą procesorom na pracę przy niższym napięciu i ograniczeniu strat energetycznych, czego wynikiem będzie zwiększona wydajność i zmniejszone zapotrzebowanie na energię, w porównaniu do poprzedniej generacji tranzystorów.
Nowe 22nm tranzystory 3-D Tri-Gate oferują do 37% więcej wydajności przy niskim napięciu w porónaniu z 32nm dwu-wymiarowymi jednostkami. Jest to cecha która będzia kluczowa w zastosowaniach do smartfonów i innych urządzeń mobilnych, które wymagają coraz większej funkcjonalności i mocy przy zachowaniu długiego czasu pracy na baterii.