Metoda ta zakłada utworzenie siatki półprzewodnikowych nanorurek na grafenie, poprzez “bombardowanie” grafenowej powierzchni atomami galu i cząsteczkami arsenu. W rezultacie powstaje hybrydowy materiał, który zachowuje się jak półprzewodnik, ale mierzy zaledwie 1 mikrometr grubości, czyli jest setki razy cieńszy od krzemowych półprzewodników używanych obecnie. Badacze twierdzą, że przewodnictwo elektryczne powstałego materiału można kontrolować za pomocą temperatury, światła, a nawet poprzez dodawanie innych atomów.
Kolejną ważną kwestią jest cena – grafen jest o wiele tańszy w wytworzeniu niż krzem. To ma pozwolić na budowę znacznie tańszych półprzewodników.
Naukowcy twierdzą, że światowi giganci już interesują się tą technologią, wliczając w to firmy Samsung i IBM. Istnieją już plany produkcji pierwszych prototypów do różnego rodzaju zastosowań, jak panele słoneczne, komponenty LED, elastyczne procesory itp. Komercyjnych produktów możemy spodziewać się w 2017 roku.