Nowe dyski SSD NVMe PCIe o nazwie SM1715 wykorzystują opracowaną przez Samsunga technologię 3D V-NAND, dopasowaną do standardu HHHL (Half-Height, Half-Length). Dzięki temu oferują 3,2 TB pamięci do przechowywania danych – dwukrotnie więcej niż poprzednie dyski SSD NVMe o najwyższej gęstości zapisu, wynoszącej 1,6 TB.
Rozpoczynając masową produkcję dysków SSD NVMe opartych na technologii V-NAND, oferującej najwyższą wydajność i gęstość zapisu wśród pamięci dostępnych obecnie na rynku, oczekujemy zwiększenia naszego udziału w rynku dysków półprzewodnikowych o wysokiej gęstości zapisu– oświadczył Jeeho Baek, wiceprezes, Memory Marketing, Samsung Electronics –W przyszłości firma Samsung planuje aktywnie wprowadzać na rynek oparte na technologii V-NAND dyski SSD o jeszcze większej wydajności, gęstości i niezawodności, zapewniając swoim klientom na całym świecie konkurencyjną przewagę.
Dysk SM1715 to udoskonalona wersji Samsung XS1715, wyróżniająca się – według deklaracji producenta – większą wydajnością i niezawodnością. Zapewnia prędkość odczytu sekwencyjnego wynoszącą 3000 MB/s oraz prędkość zapisu sekwencyjnego wynoszącą 2200 MB/s. Przy odczycie losowym prędkość wynosi 750 000 IOPS (operacji wejścia-wyjścia na sekundę), natomiast prędkość zapisu losowego to 130 000 IOPS. Ponadto charakteryzuje się niezawodnością, zapewniając 10 DWPD (zapisów pełnego dysku dziennie) przez pięć lat.
Pamięci SM1715 będą dostępne w wersjach o pojemności 1,6 TB oraz 3,2 TB, ale ich ceny nie zostały na razie podane.