Nowy 4D NAND SSD firmy Hynix przechodzi od 72-warstwowej technologii używanej wcześniej do 96 warstw. Firma twierdzi, że pozwala to na wyprodukowanie o 30 procent mniejszych układów z 49-procentowym wzrostem wydajności bitowej na wafel (w porównaniu do poprzednich, 72-warstwowych dysków 3D NAND). Dyski SSD z wykorzystaniem nowych modułów zapewne wkrótce pojawią się na rynku.
Według producenta, nowy rodzaj pamięci może pochwalić się o 30 procent wyższą wydajnością zapisu i o 25 procent wyższą wydajnością odczytu względem starszej technologii. Hynix wykorzystał w swoich nowych modułach rozwiązanie CTF (charge trap flash), zamiast częściej wykorzystywanych tzw. pływających bramek w tranzystorach. Układ logiczny modułu jest umieszczony pod komórkami pamięci flash. Hynix nazywa to technologią PUC (Periphery Under Cell). Inne firmy stosują podobne rozwiązania. Micron nazywa to CMOS Under the Array (CUA), podczas gdy Samsung stosuje nazwę Core over Periphery (CoP). Widać, że technologie wytwarzania pamięci różnych producentów są do siebie zbliżone, co nie powinno zaskakiwać, gdyż taka sytuacja ma miejsce od lat.
Całkiem niedawno, bo pod koniec października, podobne rozwiązanie, nazwane V-NAND (5 gen.) przedstawił Samsung. Podobnie jak w technologii pokazanej wówczas przez koreańskiego giganta, także w rozwiązaniu Hynixa mamy do czynienia z rodzajem pamięci TLC, co niestety wydaje się być potwierdzeniem trendu spychającego bardziej wytrzymałe moduły MLC do zadań specjalistycznych. Najwidoczniej produkcja kości TLC jest z jakiegoś powodu tańsza, lub jest to technologia, którą łatwo rozwijać. | CHIP
⇒ Tutaj znajdziecie najlepsze dyski SSD m.in. Corsair Neutron XTi 960GB i Samsung 850 EVO 2TB.