Podczas Samsung Tech Day 2021 nie mogło zabraknąć oczywiście… Samsunga i wielu ciekawych paneli na temat przyszłości firmy. Ta zajmuje się całą masą sektorów na rynku, a jednym z nich są pamięci DRAM, z których bądź, co bądź, firma słynie. Jeśli wydaje się Wam to przesadą, to przypomnę tylko o popularnych wśród overclockerów DDR4 z układami B-die Samsunga.
Dzięki serwisowi ComputerBase, który przybliżył konferencję w swoim artykule, mniej więcej wiemy, co w kwestii DDR6 i GDDR7 planuje Samsung. Jest to o tyle ważne, że z konferencji nie wyciekły żadne slajdy z prezentacji, czy pokazów, a sama firma nie ma zamiaru ich ujawniać.
Informacje Samsunga co do DDR6
Chociaż pamięci DDR5 są dostępne na rynku od niedawna, to Samsung już teraz pracuje nad DDR6. Te pamięci operacyjne jeszcze nowszej generacji, które zadebiutują zapewne tuż przed 2030 rokiem, mają oferować dwukrotnie większą prędkość i przepustowość, a przy tym (niestety) jeszcze wyższe opóźnienia.
Czytaj też: Cena i dostępność DDR5 nie ulegnie poprawie? Produkcja zagrożona przez innowacyjność
Ponoć DDR6 będzie obsługiwał cztery kanały na moduł (dwa razy więcej w porównaniu do DDR5 i cztery razy więcej, jeśli porównamy ich liczbę do DDR4). Jeśli kojarzycie zabawne zachowanie CPU-Z, które wskazuje na czterokanałowy dostęp do pamięci po montażu dwóch DDR5 w platformie, to to samo, ale z DDR6, oznaczałoby dla programu 8-kanałowy dostęp. Warto też wspomnieć, że liczba banków pamięci wzrośnie do 64, czyli czterokrotnie w porównaniu ze standardem DDR4.
Chociaż standard DDR6 nie został jeszcze sformalizowany przez JEDEC, to powinien wspominać o prędkościach około 12800 MT/s w podstawowej specyfikacji. Jednak trudno bawić się we wróżbitę, bo jak podaje Samsung, DDR6 są we wczesnej fazie rozwoju, dlatego liczby udostępniane przez firmę prawdopodobnie się zmienią. Wedle źródła DDR6-17000 nie powinny jednak dziwić.
Czytaj też: Układy Qualcomm Snapdragon 8 Gen. 1 z ładowaniem 150W. Flagowca naładujemy w 10 minut?
GDDR6+ i GDDR7, czyli przyszłość VRAM kart graficznych
Jeśli z kolei idzie o VRAM, a nie RAM, Samsung ma zamiar ruszyć z masową produkcją HBM3 w drugim kwartale 2022 roku. To pamięci stworzone specjalnie z myślą o zastosowaniach półprofesjonalnych i profesjonalnych (z naciskiem na HPC), dlatego znacznie ciekawsza z naszego punktu widzenia jest przyszłość GDDR.
Obecnie na rynku modeli nowej generacji funkcjonują zarówno układy GDDR6 oraz ich podkręcone wersje w postaci GDDR6X. Samsung dorzuci jednak do tego duetu coś nowego, bo pracuje obecnie nad GDDR6+ oferującym prędkości do 24 Gb/s, czyli o 6 Gb/s więcej względem GDDR6, który wkrótce będzie produkowany w procesie 1z nm firmy Samsung.
Czytaj też: Wyciekła wydajność Intel Core i7-12700H. Ryzen 5900HX może się schować
Po GDDR6+ przyjdzie GDDR7, ale tak jak w przypadku DDR6, trudno o wskazanie dokładnej daty. Ta technologia ma zwiększyć przepustowość pamięci do 32 Gb/s i oferuje „funkcję ochrony przed błędami w czasie rzeczywistym”, czego Samsung niestety nie wytłumaczył.