Samsung zapowiedział masową produkcję swoich pamięci GDDR6 o prędkości 24 Gb/s
Rynek pamięci DRAM od zawsze rozwija się razem z procesorami kart graficznych. Obecna generacja GeForce RTX i Radeonów wykorzystuje przede wszystkim pamięci GDDR6 o szybkości od 16 do 21 Gb/s, więc naturalnym kolejnym krokiem jest postawienie na kości o szybkości ponad 21-Gb/s w przypadku nadchodzących najwydajniejszych kart GeForce RTX 4000 oraz Radeonów RX 7000. Czy te karty postawią na rozwiązania Samsunga? Zapewne tak, bo firma planuje rozpocząć walidację u klientów jeszcze w tym miesiącu.
Czytaj też: Samsung czy TSMC? Kto przejmie produkcję układów nowej generacji firmy Qualcomm?
Z tego co już wiemy, Samsung stworzył te nowe układy pamięci przy użyciu technologii EUV oraz trzeciej generacji procesu technologicznego 10 nm. Na papierze będą przede wszystkim szybsze, co będzie jednoznacznie odczuwalne i otworzy nowym flagowym kartom graficznym możliwość przebicia magicznego wręcz poziomu przepustowości rzędu 1 TB/s.
Czytaj też: System SIDUSIS przerasta możliwości operatorów. Protestują przeciwko pomysłom rządu
Wedle Samsunga, GDDR6 24 Gb/s charakteryzują się “innowacyjnym projektem obwodów” oraz “wysoce zaawansowanym materiałem izolacyjnym”, który minimalizuje straty prądowe. W praktyce te układy będą jednak zarówno bardziej prądożerne, co jest równoznaczne z wyższymi stratami energii, czyli tym samym osiąganymi temperaturami.
Czytaj też: Huawei MateBook D 16, czyli ekran rośnie wraz z wymaganiami
Dlatego też warto wspomnieć, że Samsung planuje również oferować rozwiązania low-power dla laptopów, w których to liczy się przede wszystkim energooszczędność i możliwie najniższe temperatury. W tych wersjach nowe GDDR6 zapewnią prędkość do 20 Gb/s przy niższym napięciu, a to będzie równoznaczne z 20% wyższą wydajnością przy napięciu 1,1 V względem poprzednich flagowych “laptopowych DRAM” Samsunga.