Z fabryk Samsunga zaczną wyjeżdżać 3-nm układy. Jak wiele zapewnią?
Według najnowszych wiadomości, Samsung rozpoczął produkcję układów z tranzystorami Gate-All-Around w technologii 3-nanometrowej, które zapewniają lepszą wydajność przy mniejszym zużyciu energii. Firma jednocześnie zaznaczyła, że pierwsze układy będą początkowo przeznaczone dla komputerów o niskim poborze mocy z rychłą wizją rozszerzenia na procesory mobilne. Samsung nie ujawnił jednak dokładnych szczegółów co do tego, kiedy konsumenci powinni spodziewać się 3 nm chipów w swoich flagowych smartfonach.
Czytaj też: NVIDIA chce produkować mniej GeForce RTX 4000, a im mniejsze nakłady, tym wyższe ceny…
Samsung szybko się rozwija, ponieważ nadal wykazujemy się przywództwem w stosowaniu technologii nowej generacji w produkcji, takich jak pierwsze w branży odlewniczej High-K Metal Gate, FinFET, a także EUV. Chcemy kontynuować to przywództwo dzięki pierwszemu na świecie procesowi 3nm z MBCFET. Będziemy kontynuować aktywne innowacje w rozwoju konkurencyjnych technologii i budować procesy, które pomogą przyspieszyć osiągnięcie dojrzałości technologii– skomentował ogłoszenie dr Siyoung Choi, prezes i szef Foundry Business w Samsung Electronics.
Czytaj też: Nowe Steam Decki ze słabszymi SSD. Czy Valve słusznie nie widzi problemu? Wyjaśniamy
Jeśli interesują Was cyferki, musicie wiedzieć, że pierwsza generacja układów 3 nm zapewni ogromne zalety, bo zmniejszenie zużycia energii nawet o 45%, poprawę ogólnej wydajności o 23% oraz zmniejszenie wykorzystywanej powierzchni o 16% w porównaniu do układów produkowanych w 5-nm technologii.
Czytaj też: Wydajność GeForce GTX 1630 to żart. Panie NVIDIA, czy w firmie wszyscy zdrowi?
Co ciekawe, firma pochwaliła się też tym, co zapewnią 3-nm układy półprzewodnikowe drugiej generacji. Ponoć zmniejszą zużycie energii o 50%, poprawią wydajność o 30% i zmniejszą wykorzystanie powierzchni o 35%.